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【財訊快報／編輯部】近期大陸紫光集團旗下長江存儲已成功研發32層3D NAND Flash晶片，有機會打破全球四大NAND Flash技術陣營三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)、威騰(WD)獨霸市場局面，撼動全球記憶體產業版圖。
大陸前仆後繼投入DRAM及3D NAND技術研發，砸下的資金和資源相當可觀，且頻頻高薪挖角，企圖打破全球DRAM技術由三星、SK海力士、美光獨佔，以及3D NAND技術由四大陣營三星、SK海力士、美光 英特爾、東芝 威騰獨攬的局面。
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